主　　旨：公告本部「半導體N+2世代設備研發計畫」申請事項。

依　　據：經濟部協助產業創新活動補助獎勵及輔導辦法第5條第3項及第10條第3項。

公告事項：

一、計畫目的：為因應全球AI應用及次世代半導體製程快速發展，提升國內半導體設備自主率及供應鏈韌性，本計畫聚焦次世代半導體前段製程、記憶體及先進封裝等設備需求，補助國內業者加速相關製程及量測設備研發，並鼓勵整合國內關鍵模組、材料及軟體等供應鏈共同開發及驗證，以提升我國半導體設備技術能量及國際競爭力。

二、補助範疇：本計畫聚焦國內晶圓製造、封測、記憶體及載板領導業者（係指114年營業額達新臺幣1,000億元以上，或產品全球市占率排名前5大之業者；全球市占率排名佐證資料得參考Gartner、IDC（International Data Corporation）、McKinsey或其他具公信力之市場研究機構資料。）之次世代設備需求，補助供應鏈業者開發相關半導體設備，並鼓勵設備商整合關鍵模組、材料及軟體等供應鏈業者共同開發及驗證。申請計畫應規劃終端場域驗證，並於計畫書中說明驗證場域、規格、內容及方法。補助類型如下：

（一）半導體前段及記憶體製程設備：針對次世代半導體前段及記憶體製程需求，補助發展1.4奈米以下半導體前段製程與量測設備、HBM 4E記憶體製程設備，以及光罩檢測、探針檢測等製程周邊設備。

（二）半導體先進封裝製程設備：針對先進封裝量產及良率提升需求，補助發展大面積面板級先進封裝相關設備，以及高散熱基板應用之製程設備，並鼓勵開發尚未國產化之設備與新材料應用。

三、申請對象及資格：本計畫可由單一企業或多家企業聯合提出申請；聯合申請者，由設備商擔任主導企業，得與一家以上關鍵模組、材料或軟體系統整合企業共同提案。申請企業應符合下列資格：

（一）國內依法登記成立之獨資、合夥事業、有限合夥事業或公司。

（二）非屬銀行拒絕往來戶，且公司淨值（股東權益）為正值。

（三）不得為陸資來臺投資事業；其認定依本部投資審議司之陸資來臺投資事業名錄辦理。

（四）提案時須具備國內晶圓製造、封測、記憶體及載板領導業者之研發合作佐證資料，如訂單、合作意願書等相關文件。

四、計畫期程、補助科目及比例

（一）計畫期程：以不超過2年（24個月）為原則。計畫開始日經審核同意得由申請當月份起算，但不得晚於計畫核定後2個月內開始執行。

（二）補助比例：政府補助款最高不超過計畫全程總經費50％，其餘經費由申請單位自籌。

（三）補助科目：創新或研究發展人員之人事費、消耗性器材及原材料費、設備使用費及維護費、無形資產引進費、委託研究費、驗證費、專利申請費及國內差旅費。

五、審查方式及注意事項

（一）本計畫採批次收件、批次審查，依最終評核結果及推薦順序，擇優予以補助。

（二）資格初審：審查申請資格及各項應備資料，並確認申請計畫是否符合本計畫補助性質及範疇。

（三）計畫審查分為技術審查及財務審查：

１、技術審查：所有參與單位須派員出席，並由計畫主持人進行簡報；審查重點包括技術層級、市場價值及計畫可行性。

２、財務審查：就申請單位及負責人之債票信資料與申請單位財務狀況等進行審查。

（四）鼓勵聯盟型提案，以完善國內半導體設備供應鏈生態體系；另鼓勵投入尚未國產化之設備及材料研發。

（五）由本部辦理核定審查，確認計畫審查結果並核定補助款金額及比例。

六、應備申請資料

（一）計畫申請表及申請公司基本資料表1式2份。

（二）主導公司最近3年會計師簽證之查核報告書1式1份；聯盟公司最近1年會計師簽證之查核報告書1式1份。

（三）計畫書3份；資格文件檢查通過後，再依通知檢送10份及電子檔。

七、計畫申請時程：自公告日起算7日後開始受理，至中華民國115年11月30日下午5時止。掛號郵寄者，以交郵當日郵戳為憑；親送或其他遞送方式者，須於公告截止日當日下午5時前送達。

八、其他事項：除前列公告事項外，其他申請應備資料格式、計畫執行規範、權利義務及注意事項等，詳見「半導體N＋2世代設備研發計畫」申請須知。申請須知及相關資料可由A＋企業創新研發淬鍊計畫網站下載取得，或逕洽受理單位索取。

九、送件地點及諮詢服務

（一）送件地點：「經濟部產業技術司A＋企業創新專案辦公室」（臺北市中正區重慶南路2段51號永豐餘大樓7樓）。

（二）計畫申請專線：（02）2341-2314分機2212；傳真：（02）2341-2094、（02）2392-9477。

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